3D NAND设置为占据SSD,终止传统闪光灯

2021-10-28 19:46:04来源:

根据一份新报告,预计明年将从明年开始占据固态驱动器(SSD)行业的固态驱动器(SSD)行业。

根据Dramexchange的最新预测,NAND闪存制造商正在努力将制造厂转换为3D NAND的努力,这比传统的2D NAND生产更加密集,更快,更便宜。

东芝

东芝将开始制造新的64层3D NAND闪存芯片,这些闪光芯片具有40%的潜在能力。

Dramexchange预测2D NAND Flash的市场供应将在第一季度开始急剧下降。到2017年第三季度,2D NAND在行业的总BIT出货量的份额将低于50%。

“自2016年第二季度以来,供应商加快了各自的3D NAND开发过程,”Draamexchange的研究主任Sean Yang在一份声明中表示。“到今年年底,3D NAND估计占总闪点出货量的30%。”

但是,NAND Flash行业的晶圆能力预计2017年的边际年度率增加了6%。这是因为随着行业范围的速度到3D NAND建筑加速,2D NAND记忆的供应将急剧下降,导致明年短缺,杨指出。

由于NAND Flash晶片的缺乏,Dramexchange预计明年价格上涨。与此同时,与2016年,SSD需求在2017年飙升至2016年的60%,即使许多闪存供应商也仍然批量生产3D NAND记忆,仍然达到速度。许多闪光制造商专注于下一代64层3D NAND。

微米

微米的3D NAND芯片和Gumstick SSD的一个例子。

“直到业界一般来说,能够将64层3D NAND解决方案应用于[SSD]存储产品,3D NAND记忆的市场供应将保持紧张,”Dramexchange“报告说明。“与此同时,NAND闪存价格将继续上涨并促进供应商”收入“。

例如,Western Digital(WD)已经开始制造第三代NAND闪存芯片,这增加了48到64的层数,并将其允许其加倍。

新型64层芯片的试点生产已经开始于日本合资制造厂的WD“S Yokkaichi。预计今年第四季度的初始出货量将在2017年上半年开始“有意义的商业卷”。

2015年,Sandisk和Technology Partner Toshiba宣布他们使用BICS(比特 - 成本可扩展)技术制造了世界的第一个48层3D NAND产品。该BICS NAND闪存芯片提供256bit(32GB)容量和存储的3位/每小区(晶体管)。该技术的最新迭代称为BICS3。根据东芝,新的64层3D NAND Flash芯片通过之前的BICS2技术具有40%的潜在能力。

沙夹

Sandisk和Toshiba去年宣布,它们是制造256Gbit(32GB),每小区3位(X3)48层,3D NAND闪存芯片,提供了两倍的下一个密度存储器的容量。他们叫他们的3D NAND技术BICS,短暂成本缩放。

Micron还规定,到今年年底,它将开始大规模生产64层,3D NAND闪存芯片。

总体而言,SSD市场将在明年的需求中享受飙升,占所有NAND闪存消费的40%,DraMedXchange的报告说明。

“因此,SSD将在2017年代表NAND Flash的最快增长的最终用途市场,”DramexChange说。

与此同时,智能手机出货量正在放缓 - 如片剂的出货量一样。因此,增加每个设备的内存容量的趋势已成为移动NAND闪存产品的主要驱动器与运输的SSD纯粹数量。

自128GB以来,NAND Flash SSD占iPhone 7出货量的最大份额,其他智能手机品牌还配备了其具有下顺时但高容量嵌入式多媒体(EMMC)的设备,或下一代通用闪存存储(UFS)内存,以便保持竞争力。

此外,据Dramexchange表示,2017年第四季度,全球运输的一半以上的笔记本电脑将携带SSD。在企业级SSD市场中,由于数据中心和服务器市场的强劲增长,需求持续上涨。


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